[新聞]突破 300 層門檻！SK 海力士宣布量產 321
突破 300 層門檻！SK 海力士宣布量產 321 層堆疊 NAND Flash
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韓國記憶體大廠 SK 海力士於 21 日宣布，開始量產全球最高的 321 層堆疊 1Tb TLC
4D NAND Flash 快閃記憶體。
SK 海力士表示，從 2023 年 6 月量產當前最高的上一代 238 層堆疊 NAND Flash 快閃
記憶體，並供應於市場之後，現在又率先推出了超過 300 層堆疊的 NAND Flash 快閃記
憶體，突破了技術界限。SK 海力士計劃從 2025 年上半年起，開始向客戶提供 321 層堆
疊的產品，以此因應市場的需求。
SK 海力士強調，在此次產品開發過程中採用了高生產效率的 3-Plug 製程技術，克服了
堆疊局限。該技術分三次進行通孔製程，隨後經過優化的後續工程，將 3 個通孔進行電
氣連接。在其過程中開發出了低變形的材料，並引進了通孔間自動排列（alignment）矯
正技術。
另外，技術團隊也將上一代 238 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體的開發平台，應用於
321 層堆疊的產品上，由此最大限度地減少了製程的變化。與上一代產品相較，其生產
效率提升了 59%。還有，此次 321 層堆疊的產品與上一代產品相較，數據傳輸速度和讀
取性能分別提高了 12%、13%，並且數據讀取能效也提高 10% 以上。SK 海力士接下來將
以 321 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，積極因應針對 AI 低功耗、高性能的新市場，
並逐漸擴大其應用範圍。
SK 海力士 NAND Flash 快閃記憶體開發副社長崔正達表示，公司率先投入 300 層堆疊以
上的 NAND Flash 快閃記憶體量產，在攻佔用於 AI 資料中心的固態硬碟、邊緣 AI 等針
對 AI 的記憶體市場方面占有有利地位。未來，公司將不僅在 HBM 為代表的 DRAM，在
NAND Flash 快閃記憶體領域也具備超高性能記憶體產品組合，將躍升為全方位面向 AI
的記憶體供應商。
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